构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。
“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。
“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…
“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。
“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；
“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’
一 伽罗篇 八十 反接双结字符组合（五）(3/6)