是一样的。
所以不需要比较,直接将得到的图片信息转化为字就可以了。
比如:1、2有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米,最高吸收峰位置在680纳米处,3、4的主要光吸收范围在300-600纳米,最高吸收峰位置在530纳米处。
荧光光谱则相对复杂一些,两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱,然后计算荧光淬灭效率。
不过,同样是看图说话,也没什么难度。
而像是celiv,则是对电池器件进行表征,那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同,就需要进行比较分析。
许的测试结果:
1的载流子迁移率是12e-4厘米平方每伏秒,2是25e-4厘米平方每伏秒,显然2更高一些,但两者在同一数量级。
因为2对应的电池器件性能更好,就可以解释为,载流子迁移率的提高导致了器件性能的提高。
进一步,还可以继续分析下去,比如迁移率的提高会减小电荷复合情况,增大短路电流密度等等。
但如果反过来,假如他的测试结果为:
2是12e-4厘米平方每伏秒,1是25e-4厘米平方每伏秒。
那么就可以一笔带过,说两者载流子迁移率相差不大,在同一个数量级,或者说载流子迁移率对器件光电性能的影响不大。
许最开始阅读献的时候,就时常疑惑,对于同样的一个实验现象,为什么有的人说是xx原因,有的人说是yy原因,还有人说是xxyy原因,
第四十七章 新的目标(2/5)