顺带宣传一波母校。
这也是许在阅读献获得的灵感,他之前就看到过科院化学研究所卢长军课题组发表的章,对方拍的照片带着ias的字标识,是那种一张纸上斜着打印了一排排的“ias”,还是黑白的,看起来比较弱鸡。
许这次直接上彩图logo,逼格更高一些。
第四张图,许打算给“自己”增加点工作量,深入研究pce10:iei-4f体系,在不同电极厚度下器件的效率和对应的avt数值。
厚度值决定分别选择10、12、14、16、18、20、100纳米,其100纳米作为正常器件,也就是标样进行参比,其他的薄层电极厚度都是包含1纳米金在内的。
这里可以列一张表,用表格的形式详细列举出不同电极厚度下,pce、avt等数据的变化情况。
第五张图……许发现实在没什么可做的实验了。
只有四张图的话,也不是不可以,但章就显得稍微有些单薄。
于是,他决定搞点花里胡哨的东西出来,这也是之前看其他人献时得到的灵感。
正常器件测试的时候都是从玻璃/ito这一测打光测试,半透明器件的常规测试方法也是一样,从透明玻璃一侧打光。
许打算另外测试一组从半透明电极那一侧打光的器件性能数据。
可以预见的是,器件效率肯定是会变低的,因为光在到达有效层前就会被半透明电极先吸收一小半。
而效率的衰减绝大多数来自于这项吸收损失,因此衰减的幅度基本上约等于一减去半透明电极的avt。
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