式是“shorion短通讯”。
本来相较于正常article格式的章ion就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。
而现在这个shorion更夸张，正只有两页半，全就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、jv特性曲线以及eqe曲线。
不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源gi、afclc，只是被放在了支持信息，里面有足足20张图片。
当然，章短不短的，对许来说也无关紧要。
他主要关注到三个点，即i8dfic体系具有“超窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。
i8dfic的禁带宽度只有126电子伏特，光吸收带边可以达到1000纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为112电子伏特。
也因此，基于i8dfic二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许现阶段拿到手的y系列受体都夸张。
当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有068伏特。
不然，给这种电流密度配上一个08伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许，而是李丹课题组了。
同时，i8dfic还兼顾了idic系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较小。
因此，许初步判断，这种材料或许是iei4f等近红外受体材
454 许秋又出圈了，幕后推手竟然是……(4/15)