不是什么非常关键的问题，虽然表述方法不同，但背后的逻辑是一致的。
许检查了一下莫琳的实验规划，发现她在膜厚的优化区间存在一些问题。
她过多的参考了原先三元底电池，二元顶电池叠层器件的经验。
而实际上，现在发展成为二元底电池，三元顶电池叠层器件后，情况有了很大的不同。
比如，原先三元底电池，二元顶电池的最优条件，是顶电池厚度110纳米，底电池厚度220纳米。
现在的二元底电池，三元顶电池的最优条件是，顶电池厚度130纳米，底电池厚度190纳米。
偏差了20-30纳米的膜厚，反应在器件效率上，可能就会相差1-2。
另外，现实用到的是以浓度、转速作为实验条件的，当体系发生变化后，比如二元体系变更为三元体系，同样浓度、转速下得到的膜厚也会与之前有所不同。
换言之，看似只是把pcb的位置挪动了一下，实际上前后两个体系的差异已经非常大了，因此需要重新摸索条件。
现在的莫琳，就相当于在16等效率线的边缘不断摸索，自然取得难以突破。
许要做的事情，就是把她引导到16等效率线心的位置，去找到那个可以突破17的机会。
于是，许考虑片刻，说道：“我这边结合之前得到的eqe曲线，用半经验模型分析了一番，最终的结论就是，你可以把顶电池的厚度做厚一些，底电池的厚度减薄一些。当然，也不要把厚度改变的太多。”
“噢，好的，”莫琳点点头，“那我明天试一试，现在这批器件
468 你们钙钛矿团队的实验就先停一停(4/12)