以对晶体管内部的电流流动进行有序的控制。
虽然劳伦斯伯克利国家实验室对此方案的可行性进行了实验验证，但是不得不强调的是，这里的研究仍然处于非常早期的阶段。
一个14纳米的芯片上有超过十亿个晶体管，而伯克利实验室团队，还没有开发出一种可行的方法，来批量生产新的1nm晶体管，甚至还没有开发出使用这种晶体管的芯片。
所以通过mos2替代硅基底的这条路，还是具有一定的可行性的，但是这套路实际上能走多远，所有人的心中都没有答案。
而一些白痴的想法，例如说同等晶体管的数量之下，既然无法将芯片做小，那么将芯片的面积做大一倍等等行为，仔细查查资料就可以看出来，是非常反智的。
毕竟大了之后的问题会很多，首先发热量会导致频率根本无法得到提升，那么做大芯片唯一可以实现的就是增加芯片的物理内核。
前人的惨痛教训证明了这条路是完全走不通的。
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