464 欧气满满的学妹，现实叠层器件效率突破16%！
其，三元idic-i-4f体系，效率在原先1591的基础上，又往上挪动了00/二元i8dfic体系，经过这些天的摸索，器件性能如同坐火箭般的向上蹿升。
现在的效率，已经正式突破了16的大关——
达到了1622！
两个体系性能上的差别，主要来自于短路电流密度。
三元idic-i8dfic体系的短路电流密度可以达到1432毫安每平方厘米，相较于三元idic-i-4f体系的1398毫安每平方厘米，提升了大约24。
而两者在开路电压和填充因子上的变化并不大。
最终，这种差异反应在器件光电转换效率上，就是从后者的1591变化到前者1622，刚好也是提升了2左右（相对数值），与短路电流密度的提升幅度相当。
虽然相对2的提升，看似很小，但到了最后效率冲刺的阶段，每一点点细微的优化都是非常关键的。
拿到数据后，许开始探究这个实验现象背后的原因，看看能不能找到合理的解释，以及进一步优化的空间。
一方面，许认为两种叠层体系短路电流密度的变化，可以归因于原本二元单结体系的差异。
虽然i8dfic和iei-4f两种材料的禁带宽度相当，但是在实际制备器件的时候，形成的有效层薄膜的显微形貌也会对短路电流密度造成影响。
这就导致在二元单结的体系，pce10:i8dfic体系的短路电流密度，就比pce10:iei-4f要高一些，前者可以达到26毫安每平方厘米左右，而
464 欧气满满的学妹，现实叠层器件效率突破16%！(3/12)